Samsung 990 EVO 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung SSD 990 EVO M.2 PCIe NVMe 1 To

MZ-V9E1T0BW
Samsung
119,90 €
Sous 7 à 10 jours ouvrés

Samsung 990 EVO, 1 To, M.2, 5000 Mo/s

Qté

Fiche technique

Interface
PCI Express 4.0
composant pour
Universel
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1 To
Facteur de forme SSD
M.2
NVMe
Oui
Type de mémoire
V-NAND TLC
Le chiffrement matériel
Oui
Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel
Capacité du Solid State Drive (SSD)1 To
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourUniversel
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture5000 Mo/s
Vitesse d'écriture4200 Mo/s
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Révision CEM PCI Express4.0
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Classe TBW600
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique (Lecture)4,9 W
Consommation électrique (Ecriture)4,5 W
Consommation d 'énergie (en mode veille)0,005 W
Consommation électrique (idle)0,06 W
Largeur80,2 mm
Profondeur22,1 mm
Hauteur2,38 mm
Poids9 g
Type d'emballageBoîte
Température d'opération0 - 70 °C
Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H)5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement20 G
Choc hors fonctionnement1500 G
Période de garantie5 année(s)